图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 21A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 3.6 mOhm @ 21A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 91nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3610pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽度 ) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=FDS6699S&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| associated | RE932-01 EYGA121807A EYGA091203SM |
FDS6699S也可以通过以下分类找到
FDS6699S相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家